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IRF6643TR1PBF备选型号: IRFR4615PBF
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- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- ECCN 代码
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ7DIRECTFET™ MZ6.2A Ta 35A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT34.5MOhm150°C-40°C150V6.2ASingle2.8W9.2 nsN-Channel34.5mOhm @ 7.6A, 10V4.9V @ 150μA2340pF @ 25V55nC @ 10V5ns150V±20V4.4 ns6.2A4V20V150V150V2.34nF100 ns29mOhm34.5 mΩ4 V508μm5.45mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--
MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-33A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMT42MOhm----Single144W15 nsN-Channel42m Ω @ 21A, 10V5V @ 100μA1750pF @ 50V26nC @ 10V35ns-±20V20 ns33A5V20V150V150V----5 V1.778mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinEAR99- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR4615PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK | 对比 |
 | IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | 对比 |
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