您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6644TR1PBF vs IRF6646TR1PBF

IRF6644TR1PBF备选型号: IRF6646TR1PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRF6644TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    5
    SILICON
    1
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    13MOhm
    低导通损耗
    100V
    BOTTOM
    10.3A
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    13m Ω @ 10.3A, 10V
    4.8V @ 150μA
    2210pF @ 25V
    47nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    16 ns
    8.3A
    2.8V
    20V
    100V
    228A
    100V
    86 mJ
    63 ns
    2.8 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6646TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    5
    -
    12A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    SMD/SMT
    9.5MOhm
    -
    80V
    -
    12A
    -
    Single
    -
    89W
    -
    17 ns
    N-Channel
    9.5mOhm @ 12A, 10V
    4.9V @ 150μA
    2060pF @ 25V
    50nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    12 ns
    9.6A
    3V
    20V
    80V
    -
    80V
    -
    54 ns
    3 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    DIRECTFET™ MN
    150°C
    -40°C
    80V
    2.06nF
    7.6mOhm
    9.5 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF6646TRPBF IRF6646TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MN MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 对比
IRF6646TR1PBF IRF6646TR1PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MN MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 对比