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IRF6710S2TR1PBF备选型号: IRF6709S2TR1PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric S16DIRECTFET S112A Ta 37A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)通孔5.9MOhm175°C-55°C1.8W7.9 nsN-Channel5.9mOhm @ 12A, 10V2.4V @ 25μA1190pF @ 13V13nC @ 4.5V20ns25V±20V6 ns12A1.8V20V25V25V1.19nF21 ns11.9mOhm5.9 mΩ1.8 V558.8μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准无铅- MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric S15DIRECTFET S112A Ta 39A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT7.8MOhm175°C-55°C1.8W8.4 nsN-Channel7.8mOhm @ 12A, 10V2.35V @ 25μA1010pF @ 13V12nC @ 4.5V25ns25V±20V9.5 ns12A1.8V20V25V25V1.01nF23 ns13.5mOhm7.8 mΩ1.8 V558.8μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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