Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric S1

引脚数

6

供应商器件包装

DIRECTFET S1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 37A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta 15W Tc

Turn Off Delay Time

5.2 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

电阻

5.9MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

1.8W

接通延迟时间

7.9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

双电源电压

25V

输入电容

1.19nF

恢复时间

21 ns

漏源电阻

11.9mOhm

最大rds

5.9 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

558.8μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅