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首页 全部分类 IRF6711STRPBF vs IRF6706S2TR1PBF

IRF6711STRPBF备选型号: IRF6706S2TR1PBF

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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6711STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    5.4 ns
    19A
    20V
    84A
    0.0038Ohm
    25V
    62 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6706S2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    5
    -
    17A Ta 63A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    26W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    3.8mOhm @ 17A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    20ns
    ±20V
    9.2 ns
    17A
    20V
    -
    -
    25V
    -
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    符合RoHS标准
    无
    DIRECTFET S1
    6.5MOhm
    175°C
    -55°C
    25V
    1.81nF
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    无铅
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