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首页 全部分类 IRF6712STRPBF vs IRF6711STRPBF

IRF6712STRPBF备选型号: IRF6711STRPBF

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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6712STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    6
    SILICON
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.9MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    36W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.9m Ω @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    ±20V
    12 ns
    17A
    20V
    25V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6711STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    BOTTOM
    R-XBCC-N4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    5.4 ns
    19A
    20V
    25V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    84A
    0.0038Ohm
    62 mJ
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