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首页 全部分类 IRF6713STRPBF vs IRF6711STRPBF

IRF6713STRPBF备选型号: IRF6711STRPBF

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF6713STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ
    15 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    22A Ta 95A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 22A, 10V
    2.4V @ 50μA
    2880pF @ 13V
    32nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    6 ns
    22A
    20V
    0.003Ohm
    25V
    34 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6711STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    5.4 ns
    19A
    20V
    0.0038Ohm
    25V
    62 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    84A
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