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首页 全部分类 IRF6713STRPBF vs NTMFS4898NFT3G

IRF6713STRPBF备选型号: NTMFS4898NFT3G

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  • ECCN 代码
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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6713STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ
    15 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    22A Ta 95A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 22A, 10V
    2.4V @ 50μA
    2880pF @ 13V
    32nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    6 ns
    22A
    20V
    0.003Ohm
    25V
    34 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4898NFT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    13.2A Ta 117A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    增强型MOSFET
    73.5W
    DRAIN
    17.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3233pF @ 12V
    49.5nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    8.3 ns
    117A
    20V
    0.0048Ohm
    30V
    228 mJ
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    FLAT
    5
    Single
    1.5V
    234A
    无SVHC
    无铅
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