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首页 全部分类 IRF6721STR1PBF vs IRLR8721PBF

IRF6721STR1PBF备选型号: IRLR8721PBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6721STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    6
    DIRECTFET™ SQ
    14A Ta 60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2.2W
    7.8 ns
    N-Channel
    7.3mOhm @ 14A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1430pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    8.9ns
    30V
    ±20V
    5.3 ns
    14A
    1.9V
    20V
    30V
    1.43nF
    26 ns
    10.9mOhm
    7.3 mΩ
    1.9 V
    508μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8721PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    65W
    8.8 ns
    N-Channel
    8.4m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1030pF @ 15V
    13nC @ 4.5V
    30ns
    -
    ±20V
    6.5 ns
    65A
    1.9V
    20V
    30V
    -
    26 ns
    -
    -
    -
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    8.4MOhm
    镍外哑光锡
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    260A
    无铅
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