Infineon Technologies IRF6617TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric ST

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ ST

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 55A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

14A

功率耗散

42W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.7 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

2.35V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

1.3nF

漏源电阻

6.2mOhm

最大rds

8.1 mΩ

栅源电压

2.35 V

高度

620μm

长度

3.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅