IRF6724MTRPBF备选型号: STL160NS3LLH7
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5SILICON27A Ta 150A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009e1活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 27A, 10V2.35V @ 100μA4404pF @ 15V54nC @ 4.5V19ns±20V16 ns27A20V30V212A12 mJ506μm6.35mm5.05mm无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-160A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII--Obsolete1 (Unlimited)-EAR99-----100W--N-Channel-2.1m Ω @ 18A, 10V2.3V @ 1mA3245pF @ 25V20nC @ 4.5V-±20V-160A20V-------ROHS3 Compliant无铅未说明未说明STL16030V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6725MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MX | MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET | 对比 |
![]() | STL160NS3LLH7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 | 对比 |
![]() | IRF8308MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MX | MOSFET N-CH 30V 27A MX | 对比 |




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