IRF6725MTRPBF备选型号: STL150N3LLH5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET17 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5SILICON28A Ta 170A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)3EAR99BOTTOMR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET100WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 28A, 10V2.35V @ 100μA4700pF @ 15V54nC @ 4.5V22ns±20V13 ns170A1.8V20V28A0.0022Ohm30V220A190 mJ1.8 V506μm6.35mm5.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------
- MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X514 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON195A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ V-活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALR-PDSO-N5-增强型MOSFET80WDRAIN17.2 nsN-ChannelSWITCHING1.75m Ω @ 17.5A, 10V2.2V @ 250μA5800pF @ 25V40nC @ 4.5V30.8ns±22V47.8 ns17.5A1.55V22V35A-30V-300 mJ-950μm5mm6mm无SVHC无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)e31.75mOhmMatte Tin (Sn) - annealed26030STL1508Single无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | 对比 |
![]() | STL150N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 | 对比 |
![]() | IRF6716MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MX | MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET | 对比 |





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