IRF6728MTR1PBF备选型号: NTMFS4898NFT3G

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    23A Ta 140A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    75W
    16 ns
    N-Channel
    2.5mOhm @ 23A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4110pF @ 15V
    42nC @ 4.5V
    34ns
    30V
    ±20V
    19 ns
    140A
    1.8V
    20V
    30V
    4.11nF
    3.6mOhm
    2.5 mΩ
    1.8 V
    530μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    -
    13.2A Ta 117A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    73.5W
    17.6 ns
    N-Channel
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3233pF @ 12V
    49.5nC @ 10V
    23ns
    -
    ±20V
    8.3 ns
    117A
    1.5V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1.1mm
    5.1mm
    6.1mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    SILICON
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0048Ohm
    234A
    228 mJ
    无铅
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