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首页 全部分类 IRF6797MTRPBF vs STL220N3LLH7

IRF6797MTRPBF备选型号: STL220N3LLH7

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6797MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    36A Ta 210A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    5790pF @ 13V
    68nC @ 4.5V
    32ns
    ±20V
    15 ns
    36A
    20V
    25V
    300A
    260 mJ
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL220N3LLH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    220A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    55 ns
    N-Channel
    -
    1.1m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 250μA
    8650pF @ 25V
    46nC @ 4.5V
    115ns
    ±20V
    51 ns
    220A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    810μOhm
    未说明
    未说明
    STL220
    1
    Single
    无铅
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