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首页 全部分类 IRF6802SDTRPBF vs FDMC8588

IRF6802SDTRPBF备选型号: FDMC8588

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  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF6802SDTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SA
    8
    13 ns
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.7W
    1.7W
    9.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    4.2m Ω @ 16A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1350pF @ 13V
    13nC @ 4.5V
    50ns
    25V
    23 ns
    16A
    16V
    57A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC8588
    ON Semiconductor
    MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    16.5A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    8 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 17A, 10V
    1.8V @ 250μA
    1228pF @ 13V
    12nC @ 4.5V
    3ns
    -
    2 ns
    17A
    12V
    16.5A
    25V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    32.13mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±12V
    MO-240BA
    0.005Ohm
    60A
    29 mJ
    1mm
    3.4mm
    3.4mm
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