IRF6802SDTRPBF
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Infineon Technologies IRF6802SDTRPBF

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型号

IRF6802SDTRPBF

utmel 编号

1211-IRF6802SDTRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

DirectFET™ Isometric SA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

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IRF6802SDTRPBF
IRF6802SDTRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

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IRF6802SDTRPBF详情

Infineon Technologies IRF6802SDTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DirectFET™ Isometric SA

  • 引脚数

    8

  • Turn Off Delay Time

    13 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1.7W

  • 功率耗散

    1.7W

  • 接通延迟时间

    9.7 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.2m Ω @ 16A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 35μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1350pF @ 13V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    13nC @ 4.5V

  • 上升时间

    50ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 下降时间(典型值)

    23 ns

  • 连续放电电流(ID)

    16A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    16V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    57A

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IRF6802SDTRPBF相似的参数规格。

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IRF6802SDTRPBF拓展信息

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