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首页 全部分类 IRF6811STRPBF vs NTTFS4H05NTAG

IRF6811STRPBF备选型号: NTTFS4H05NTAG

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRF6811STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
    13 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    6
    SILICON
    19A Ta 74A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e1
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    3.7MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    8.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 19A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1590pF @ 13V
    17nC @ 4.5V
    19ns
    ±16V
    5.5 ns
    19A
    16V
    74A
    25V
    32 mJ
    150°C
    700μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTTFS4H05NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    S-PDSO-F5
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    1205pF @ 12V
    18.9nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    94A
    -
    22.4A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    yes
    not_compliant
    25V
    304A
    25V
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