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首页 全部分类 IRF6898MTRPBF vs IRF6715MTR1PBF

IRF6898MTRPBF备选型号: IRF6715MTR1PBF

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  • 供应商器件包装
  • 终端
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  • 最小工作温度
  • 元素配置
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  • 双电源电压
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  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF6898MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    35A Ta 213A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1m Ω @ 35A, 10V
    2.1V @ 100μA
    5435pF @ 13V
    62nC @ 4.5V
    46ns
    ±16V
    19 ns
    35A
    1.6V
    16V
    25V
    280A
    Schottky Diode (Body)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6715MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    4.5V 10V
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.8W
    -
    20 ns
    N-Channel
    -
    1.6mOhm @ 34A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5340pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    31ns
    ±20V
    12 ns
    34A
    1.9V
    20V
    25V
    -
    -
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    DIRECTFET™ MX
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    Single
    25V
    25V
    5.34nF
    42 ns
    2.7mOhm
    1.6 mΩ
    1.9 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
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