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IRF7101TRPBF备选型号: IRF7331TRPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 额定功率
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 行间距
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99100mOhmMatte Tin (Sn)2W20V2W鸥翼3.5AIRF7101PBF6.3 mmDual增强型MOSFET2W7 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING100m Ω @ 1.8A, 10V3V @ 250μA320pF @ 15V15nC @ 10V10ns30 ns3.5A3V12V20V14A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门3 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-- MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008-Obsolete1 (Unlimited)8-30MOhm--20V2W鸥翼7AIRF7331PBF-Dual增强型MOSFET2W7.6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 7A, 4.5V1.2V @ 250μA1340pF @ 16V20nC @ 4.5V22ns50 ns7A1.2V12V20V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.2 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free7A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7501TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 | 对比 |
 | DMG9933USD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO | 对比 |
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