IRF7101TRPBF备选型号: IRF7501TRPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    100mOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    20V
    2W
    鸥翼
    3.5A
    IRF7101PBF
    6.3 mm
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    320pF @ 15V
    15nC @ 10V
    10ns
    30 ns
    3.5A
    3V
    12V
    20V
    14A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    135mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    20V
    1.25W
    鸥翼
    2.4A
    IRF7501PBF
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.25W
    5.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    135m Ω @ 1.7A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    260pF @ 15V
    8nC @ 4.5V
    24ns
    16 ns
    2.4A
    700mV
    12V
    20V
    19A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    700 mV
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    超低电阻
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IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 对比
DMG9933USD-13 DMG9933USD-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO 对比