IRF7204TRPBF备选型号: IRF7307TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 输出电流
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 极性/通道类型
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)860mOhm逻辑电平兼容-20VDUAL鸥翼-5.3ASingle增强型MOSFET2.5W5.3A14 nsP-ChannelSWITCHING60m Ω @ 5.3A, 10V2.5V @ 250μA860pF @ 10V25nC @ 10V26ns20V±12V68 ns-5.3A-2.5V12V-20V-20V100 ns-2.5 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--------
- MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5.2A 4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)850mOhm超低电阻-DUAL鸥翼5.2A-增强型MOSFET2W--N and P-ChannelSWITCHING50m Ω @ 2.6A, 4.5V700mV @ 250μA660pF @ 15V20nC @ 4.5V26ns--33 ns5.2A700mV12V20V--700 mV1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3EAR99Matte Tin (Sn)2WIRF7307PBFN-CHANNEL AND P-CHANNELMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7307TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | 对比 |
![]() | AUIRF7207QTR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC | 对比 |



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