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首页 全部分类 IRF7304TRPBF vs IRF7301TRPBF

IRF7304TRPBF备选型号: IRF7301TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 行间距
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    IRF7304TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    90mOhm
    逻辑电平兼容
    2W
    -20V
    2W
    鸥翼
    -4.3A
    IRF7304PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8.4 ns
    2 P-Channel (Dual)
    90m Ω @ 2.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    610pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    26ns
    20V
    33 ns
    -4.3A
    -700mV
    12V
    3.6A
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    84 ns
    逻辑电平门
    -700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7301TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    50mOhm
    超低电阻
    -
    20V
    2W
    鸥翼
    5.2A
    IRF7301PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 2.6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    660pF @ 15V
    20nC @ 4.5V
    42ns
    -
    51 ns
    5.2A
    700mV
    12V
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    44 ns
    逻辑电平门
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    EAR99
    6.3 mm
    SWITCHING
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IRF7301TRPBF IRF7301TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 对比