IRF7314TRPBF备选型号: AUIRF7207QTR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 行间距
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 恢复时间
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 端子位置
- 配置
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3活跃1 (Unlimited)8EAR9958mOhm雪崩 额定-20V2W鸥翼260-5.3A30IRF7314PBF6.3 mmDual增强型MOSFET2W15 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING58m Ω @ 2.9A, 4.5V700mV @ 250μA780pF @ 15V29nC @ 4.5V40ns20V49 ns-5.3A-700mV12V-20V150 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR71 ns逻辑电平门-700 mV1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC26 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011e3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99-AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY--鸥翼------增强型MOSFET2.5W11 nsP-ChannelSWITCHING60m Ω @ 5.4A, 4.5V1.6V @ 250μA780pF @ 15V22nC @ 4.5V24ns20V41 ns5.4A-700mV12V-20V-----1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant-Matte Tin (Sn)DUALSINGLE WITH BUILT-IN DIODE±12V0.06Ohm43A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | 对比 |



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