IRF7322D1TRPBF备选型号: AUIRF7207QTR
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- 底架
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- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO5.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-20V-5.3A2W15 nsP-Channel62mOhm @ 2.9A, 4.5V700mV @ 250μA780pF @ 15V29nC @ 4.5V40ns20V±12V49 ns5.3A12V-20V780pFSchottky Diode (Isolated)62mOhm62 mΩ1.4986mm4.9784mm3.9878mm无符合RoHS标准无铅----------------
- MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-5.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011Obsolete1 (Unlimited)----2.5W11 nsP-Channel60m Ω @ 5.4A, 4.5V1.6V @ 250μA780pF @ 15V22nC @ 4.5V24ns20V±12V41 ns5.4A12V-20V----1.5mm5mm4mm无ROHS3 Compliant-26 WeeksSILICONe38EAR99Matte Tin (Sn)AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING-700mV0.06Ohm43A无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRF7207QTR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC | 对比 |
![]() | IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | 对比 |



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