IRF7324D1TRPBF备选型号: IRF7104TRPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
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- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 行间距
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-20V-2.9A2WP-Channel270mOhm @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA260pF @ 15V7.8nC @ 4.5V20V±12V2.2A12V-20V260pFSchottky Diode (Isolated)270mOhm270 mΩ符合RoHS标准无铅------------------------------
- MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-2.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997活跃1 (Unlimited)---20V-2.3A2W2 P-Channel (Dual)250m Ω @ 1A, 10V3V @ 250μA290pF @ 15V25nC @ 10V20V--2.3A12V-20V-逻辑电平门--ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe38SMD/SMTEAR99250mOhmMatte Tin (Sn)超低电阻2W鸥翼IRF7104PBF6.3 mmDual增强型MOSFET12 nsSWITCHING16ns30 ns-3V10A-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR100 ns-3 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 |



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