IRF7324D1TRPBF备选型号: NTMSD2P102LR2
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-20V-2.9A2WP-Channel270mOhm @ 1.2A, 4.5V700mV @ 250μA260pF @ 15V7.8nC @ 4.5V20V±12V2.2A12V-20V260pFSchottky Diode (Isolated)270mOhm270 mΩ符合RoHS标准无铅---------------------
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)--2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2006Obsolete1 (Unlimited)---20V-2.3A2WP-Channel90m Ω @ 2.4A, 4.5V1.5V @ 250μA750pF @ 16V18nC @ 4.5V20V±10V2.3A10V-20V-Schottky Diode (Isolated)--Non-RoHS Compliant含铅SILICONe08EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)逻辑电平兼容DUAL鸥翼240not_compliant308R-PDSO-G8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING35ns29 ns0.09Ohm175 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 |



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