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首页 全部分类 IRF7343TRPBF vs IRF7342TRPBF

IRF7343TRPBF备选型号: IRF7342TRPBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF7343TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.7A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    50mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    2W
    DUAL
    鸥翼
    4.7A
    IRF7343PBF
    6.3 mm
    2
    增强型MOSFET
    2W
    8.3 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    10ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    22 ns
    4.7A
    1V
    20V
    55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Standard
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    105mOhm
    超低电阻
    2W
    -
    鸥翼
    -3.4A
    IRF7342PBF
    6.3 mm
    2
    增强型MOSFET
    2W
    14 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    10ns
    -
    22 ns
    -3.4A
    -1V
    20V
    -55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -55V
    Dual
    55V
    114 mJ
    80 ns
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