IRF7468TRPBF备选型号: DMG4712SSS-13
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON9.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)815.5MOhm雪崩 额定40VDUAL鸥翼9.4ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W7.6 nsN-ChannelSWITCHING15.5m Ω @ 9.4A, 10V2V @ 250μA2460pF @ 20V34nC @ 4.5V2.3ns±12V3.8 ns9.4A12V40V75A1.4986mm4.9784mm3.9878mm无ROHS3 Compliant无铅-----------
- Trans MOSFET N-CH 30V 11.2A Automotive 8-Pin SO T/R7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-11.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2010Obsolete1 (Unlimited)----------5.5 nsN-Channel-14mOhm @ 11.2A, 10V2.2V @ 250μA2296pF @ 15V45.7nC @ 10V24.4ns±12V6.6 ns11.2A12V30V----无ROHS3 Compliant-8-SOP73.992255mg150°C-55°C130V2.296nFSchottky Diode (Body)10mOhm14 mΩ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMS3014SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO | 对比 |
![]() | DMG4712SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 11.2A Automotive 8-Pin SO T/R | 对比 |
![]() | IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 对比 |




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