IRF7468TRPBF备选型号: DMG4712SSS-13

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    15.5MOhm
    雪崩 额定
    40V
    DUAL
    鸥翼
    9.4A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.4A, 10V
    2V @ 250μA
    2460pF @ 20V
    34nC @ 4.5V
    2.3ns
    ±12V
    3.8 ns
    9.4A
    12V
    40V
    75A
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 30V 11.2A Automotive 8-Pin SO T/R
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    11.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5.5 ns
    N-Channel
    -
    14mOhm @ 11.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2296pF @ 15V
    45.7nC @ 10V
    24.4ns
    ±12V
    6.6 ns
    11.2A
    12V
    30V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    8-SOP
    73.992255mg
    150°C
    -55°C
    1
    30V
    2.296nF
    Schottky Diode (Body)
    10mOhm
    14 mΩ
    无SVHC
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