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IRF7483MTRPBF备选型号: IRF6725MTRPBF
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- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 40V 135A12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MF135A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR992.3mOhm未说明未说明N-Channel2.3m Ω @ 81A, 10V3.9V @ 100μA3913pF @ 25V81nC @ 10V40V±20V135AROHS3 Compliant无铅--------------------------
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET17 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX28A Ta 170A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)EAR99---N-Channel2.2m Ω @ 28A, 10V2.35V @ 100μA4700pF @ 15V54nC @ 4.5V-±20V170AROHS3 Compliant-5SILICON3BOTTOMR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET100WDRAIN16 nsSWITCHING22ns13 ns1.8V20V28A0.0022Ohm30V220A190 mJ1.8 V506μm6.35mm5.05mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO | 对比 |
| NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
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