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IRF7483MTRPBF备选型号: NTMFS4C03NT1G
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 生命周期状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 40V 135A12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MF135A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR992.3mOhm未说明未说明N-Channel2.3m Ω @ 81A, 10V3.9V @ 100μA3913pF @ 25V81nC @ 10V40V±20V135AROHS3 Compliant无铅------------------
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN30A Ta 136A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014活跃1 (Unlimited)--未说明未说明N-Channel2.1m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA3071pF @ 15V45.2nC @ 10V30V±20V136AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8SILICONe3yes5Tin (Sn)DUALFLATnot_compliantR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING900A30V549 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO | 对比 |
| NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
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