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首页 全部分类 IRF7488TRPBF vs IRF7473TRPBF

IRF7488TRPBF备选型号: IRF7473TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 行间距
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF7488TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    29MOhm
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    29m Ω @ 3.8A, 10V
    4V @ 250μA
    1680pF @ 25V
    57nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    6.3A
    20V
    80V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7473TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    2.5W
    24 ns
    N-Channel
    26m Ω @ 4.1A, 10V
    5.5V @ 250μA
    3180pF @ 25V
    61nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    11 ns
    6.9A
    20V
    100V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SILICON
    e3
    8
    SMD/SMT
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    100V
    DUAL
    鸥翼
    260
    6.9A
    30
    6.3 mm
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    5.5V
    0.026Ohm
    55A
    100V
    5.5 V
    无SVHC
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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC 对比