Infineon Technologies IRF7473TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

6.9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

行间距

6.3 mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 4.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3180pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

6.9A

阈值电压

5.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

55A

双电源电压

100V

栅源电压

5.5 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free