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首页 全部分类 IRF7530PBF vs IRF7530TRPBF

IRF7530PBF备选型号: IRF7530TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF7530PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    2
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    150°C
    -55°C
    HIGH RELIABILITY
    20V
    1.3W
    鸥翼
    5.4A
    IRF7530PBF
    增强型MOSFET
    1.3W
    8.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    30m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    11ns
    16 ns
    5.4A
    12V
    0.03Ohm
    20V
    40A
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    3.048mm
    3.048mm
    910μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7530TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    2
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    超低电阻
    20V
    1.3W
    鸥翼
    5.4A
    IRF7530PBF
    增强型MOSFET
    1.3W
    8.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    30m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    26nC @ 4.5V
    11ns
    16 ns
    5.4A
    12V
    -
    20V
    40A
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    3mm
    3mm
    860μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    30mOhm
    Matte Tin (Sn)
    Dual
    1.2V
    1.2 V
    无SVHC
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