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首页 全部分类 IRF7580MTRPBF vs FDMS030N06B

IRF7580MTRPBF备选型号: FDMS030N06B

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF7580MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ME
    10
    114A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    115W
    20 ns
    N-Channel
    3.6m Ω @ 70A, 10V
    3.7V @ 150μA
    6510pF @ 25V
    180nC @ 10V
    38ns
    60V
    ±20V
    21 ns
    114A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS030N06B
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    22.1A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    Single
    104W
    39 ns
    N-Channel
    3m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    7560pF @ 30V
    75nC @ 10V
    20ns
    -
    ±20V
    16 ns
    100A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    68.1mg
    SILICON
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    MO-240AA
    22.1A
    0.003Ohm
    60V
    400A
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
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