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首页 全部分类 IRF7665S2TR1PBF vs IRFR3910TRPBF

IRF7665S2TR1PBF备选型号: IRFR3910TRPBF

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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF7665S2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    4
    DIRECTFET SB
    4.1A Ta 14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    62MOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    2.4W
    3.8 ns
    N-Channel
    62mOhm @ 8.9A, 10V
    5V @ 25μA
    515pF @ 25V
    13nC @ 10V
    6.4ns
    100V
    ±20V
    3.6 ns
    14.4mA
    4V
    20V
    100V
    515pF
    51mOhm
    62 mΩ
    4 V
    508μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    115mOhm
    -
    -
    Single
    52W
    6.4 ns
    N-Channel
    115m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    640pF @ 25V
    44nC @ 10V
    27ns
    -
    ±20V
    25 ns
    16A
    4V
    20V
    100V
    -
    -
    -
    4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    雪崩 额定
    100V
    鸥翼
    260
    16A
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    60A
    100V
    190 ns
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