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首页 全部分类 IRF7759L2TR1PBF vs AUIRFS3006-7P

IRF7759L2TR1PBF备选型号: AUIRFS3006-7P

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  • 晶体管元件材料
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  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF7759L2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    5
    DIRECTFET L8
    26A Ta 375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2.3MOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    125W
    18 ns
    N-Channel
    2.3mOhm @ 96A, 10V
    4V @ 250μA
    12222pF @ 25V
    300nC @ 10V
    37ns
    75V
    ±20V
    33 ns
    26A
    3V
    20V
    75V
    12.222nF
    96 ns
    1.8mOhm
    2.3 mΩ
    3 V
    508μm
    9.144mm
    7.1mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS3006-7P
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    375W
    14 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 168A, 10V
    4V @ 250μA
    8850pF @ 50V
    300nC @ 10V
    61ns
    -
    ±20V
    69 ns
    240A
    2V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    16 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-263CB
    303 mJ
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