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首页 全部分类 IRF7759L2TRPBF vs FDB024N06

IRF7759L2TRPBF备选型号: FDB024N06

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  • 场效应管类型
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  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    IRF7759L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    11
    SILICON
    26A Ta 375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N9
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 96A, 10V
    4V @ 250μA
    12222pF @ 25V
    300nC @ 10V
    87ns
    ±20V
    33 ns
    26A
    3V
    20V
    0.0023Ohm
    75V
    640A
    257 mJ
    508μm
    9.144mm
    7.112mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB024N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    395W
    DRAIN
    134 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    14885pF @ 25V
    226nC @ 10V
    324ns
    ±20V
    250 ns
    265A
    3.5V
    20V
    -
    60V
    -
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1.762g
    yes
    2.4MOhm
    鸥翼
    Single
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