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首页 全部分类 IRF7805PBF vs IRF8721PBF

IRF7805PBF备选型号: IRF8721PBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF7805PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    11MOhm
    Matte Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    13A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    31nC @ 5V
    20ns
    ±12V
    16 ns
    13A
    3V
    12V
    30V
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8721PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    8.5MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    8.2 ns
    N-Channel
    -
    8.5m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    12nC @ 4.5V
    11ns
    ±20V
    7 ns
    14A
    2.35V
    20V
    30V
    2.35 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    39 Weeks
    1040pF @ 15V
    21 ns
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