IRF7807VD2TRPBF备选型号: DMN3024LSD-13
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- 底架
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- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO8.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C30V8.3A1.6W6.3 nsN-Channel25mOhm @ 7A, 4.5V1V @ 250μA14nC @ 4.5V1.2ns30V±20V2.2 ns8.3A20V30VSchottky Diode (Isolated)25mOhm25 mΩ1.4986mm4.9784mm3.9878mm无符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-6.8A-55°C~150°C TJDigi-Reel®-2009活跃1 (Unlimited)----2W2.9 ns2 N-Channel (Dual)24m Ω @ 7A, 10V3V @ 250μA12.9nC @ 10V3.3ns--8 ns7.2A20V30V逻辑电平门-----无ROHS3 Compliant-17 Weeks73.992255mgSILICONe3yes8EAR99Matte Tin (Sn)1.8W鸥翼26040DMN3024LSD8增强型MOSFETSWITCHING608pF @ 15V5.7AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | 对比 |
![]() | DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | 对比 |
![]() | DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K | 对比 |




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