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IRF7853PBF备选型号: IRF7853TRPBF

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF7853PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    18MOhm
    Single
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    18m Ω @ 8.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1640pF @ 25V
    39nC @ 10V
    6.6ns
    ±20V
    6 ns
    8.3A
    4.9V
    20V
    100V
    100V
    68 ns
    4.9 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7853TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    18MOhm
    -
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    18m Ω @ 8.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1640pF @ 25V
    39nC @ 10V
    6.6ns
    ±20V
    6 ns
    8.3A
    -
    20V
    100V
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    Unknown
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    8
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    66A
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