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IRF7853PBF备选型号: IRF7854PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 最大输出电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRF7853PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    18MOhm
    Single
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    18m Ω @ 8.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1640pF @ 25V
    39nC @ 10V
    6.6ns
    ±20V
    6 ns
    8.3A
    4.9V
    20V
    100V
    100V
    68 ns
    4.9 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7854PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    13.4MOhm
    -
    2.5W
    9.4 ns
    N-Channel
    13.4mOhm @ 10A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1620pF @ 25V
    41nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    8.6 ns
    10A
    4.9V
    20V
    80V
    80V
    65 ns
    4.9 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SO
    150°C
    -55°C
    2.5A
    80V
    1.62nF
    13.4mOhm
    13.4 mΩ
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