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首页 全部分类 IRF7854TRPBF vs IRF7488TRPBF

IRF7854TRPBF备选型号: IRF7488TRPBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    IRF7854TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    哑光锡
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    9.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.4m Ω @ 10A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1620pF @ 25V
    41nC @ 10V
    8.5ns
    ±20V
    8.6 ns
    10A
    20V
    80V
    79A
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7488TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    6.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    -
    29m Ω @ 3.8A, 10V
    4V @ 250μA
    1680pF @ 25V
    57nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    6.3A
    20V
    80V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    29MOhm
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