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首页 全部分类 IRF7907TRPBF vs DMS3015SSS-13

IRF7907TRPBF备选型号: DMS3015SSS-13

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • 质量
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  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • Infineon Technologies
    IRF7907TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.1A 11A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    260
    30
    IRF7907PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    16.4m Ω @ 9.1A, 10V
    2.35V @ 25μA
    850pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    11A
    20V
    30V
    15 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMS3015SSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET N-CHAN
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    260
    40
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.55W
    N-Channel
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1276pF @ 15V
    30.6nC @ 10V
    11A
    20V
    30V
    -
    -
    Schottky Diode (Body)
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    yes
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    8
    1
    15.8 ns
    SWITCHING
    27.8ns
    ±12V
    13.6 ns
    1.5V
    无SVHC
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