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首页 全部分类 IRF7907TRPBF vs IRF7904TRPBF

IRF7907TRPBF备选型号: IRF7904TRPBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 功率 - 最大
  • Infineon Technologies
    IRF7907TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.1A 11A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    260
    30
    IRF7907PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    16.4m Ω @ 9.1A, 10V
    2.35V @ 25μA
    850pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    11A
    20V
    30V
    15 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7904TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7.6A 11A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    IRF7904PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    16.2m Ω @ 7.6A, 10V
    2.25V @ 25μA
    910pF @ 15V
    11nC @ 4.5V
    11A
    20V
    30V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    16.2MOhm
    1.4W 2W
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