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首页 全部分类 IRF7910TRPBF vs IRF7220TRPBF

IRF7910TRPBF备选型号: IRF7220TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF7910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2002
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    15MOhm
    2W
    鸥翼
    260
    30
    IRF7910PBF
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    9.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15m Ω @ 8A, 4.5V
    2V @ 250μA
    1730pF @ 6V
    26nC @ 4.5V
    22ns
    6.3 ns
    10A
    MS-012AA
    12V
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7220TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    12mOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    19 ns
    P-Channel
    -
    12mOhm @ 11A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    8075pF @ 10V
    125nC @ 5V
    420ns
    1.04 μs
    -11A
    -
    12V
    -14V
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    8-SO
    150°C
    -55°C
    -14V
    -11A
    14V
    ±12V
    8.075nF
    12mOhm
    12 mΩ
    -600 mV
    无SVHC
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