Infineon Technologies IRF7220TRPBF
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IRF7220TRPBF
1211-IRF7220TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF7220TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7220TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
140 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
12mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-14V
额定电流
-11A
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12mOhm @ 11A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8075pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 5V
上升时间
420ns
漏源电压 (Vdss)
14V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
1.04 μs
连续放电电流(ID)
-11A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-14V
输入电容
8.075nF
漏源电阻
12mOhm
最大rds
12 mΩ
栅源电压
-600 mV
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7220TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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