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IRF8010PBF备选型号: IRFB4410ZPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 终端
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2002活跃1 (Unlimited)3EAR9915Ohm100V80ASingle增强型MOSFET260WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA3830pF @ 25V120nC @ 10V130ns±20V120 ns80A4VTO-220AB20V75A100V100V150 ns4 V8.763mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB12 Weeks-通孔通孔TO-220-33SILICON97A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004活跃1 (Unlimited)3EAR999MOhm--Single增强型MOSFET230WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA4820pF @ 50V120nC @ 10V52ns±20V57 ns96A2VTO-220AB20V97A100V100V57 ns4 V19.8mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3通孔镍外哑光锡250301242 mJ175°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB | 对比 |
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB | 对比 |
| IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
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