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首页 全部分类 IRF8301MTRPBF vs FDMS2506SDC

IRF8301MTRPBF备选型号: FDMS2506SDC

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  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRF8301MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    SILICON
    34A Ta 192A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    34A
    1.7V
    20V
    30V
    250A
    260 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS2506SDC
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    39A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    89W
    -
    16 ns
    N-Channel
    -
    1.45m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 1mA
    5945pF @ 13V
    93nC @ 10V
    7.4ns
    ±20V
    4.8 ns
    39A
    1.7V
    20V
    25V
    -
    -
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    90mg
    1.7 V
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