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首页 全部分类 IRF8302MTRPBF vs IRF8308MTRPBF

IRF8302MTRPBF备选型号: IRF8308MTRPBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRF8302MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 31A MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    MG-WDSON-5
    31A Ta 190A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 31A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6030pF @ 15V
    53nC @ 4.5V
    37ns
    ±20V
    15 ns
    31A
    1.35V
    20V
    30V
    250A
    260 mJ
    150°C
    700μm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8308MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A MX
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    -
    SILICON
    -
    27A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e1
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 27A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4404pF @ 15V
    42nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    212A
    12 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    无铅
    未说明
    未说明
    30V
    27A
    0.0035Ohm
    30V
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