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首页 全部分类 IRF8302MTRPBF vs IRF9383MTRPBF

IRF8302MTRPBF备选型号: IRF9383MTRPBF

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  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF8302MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 31A MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    MG-WDSON-5
    31A Ta 190A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 31A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6030pF @ 15V
    53nC @ 4.5V
    37ns
    ±20V
    15 ns
    31A
    1.35V
    20V
    30V
    250A
    260 mJ
    150°C
    700μm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9383MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    -
    22A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    29 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.9m Ω @ 22A, 10V
    2.4V @ 150μA
    7305pF @ 15V
    130nC @ 10V
    160ns
    ±20V
    110 ns
    22A
    -
    20V
    -30V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    30V
    0.0029Ohm
    无铅
  • 添加型号
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